飞兆半导体公司通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程，将MOSFET和二极管集成在一个封装内，代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。 通过将MOSFET和二极管集成到一个封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。 该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。 主要功能： FDD1600N10ALZD: ·RDS(ON)=124mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=3.4A·RDS(ON)=175mΩ（典型值）@VGS=5V，ID=2.1A ·低栅极电荷=2.78nC（典型值） ·低反向电容(Crss)=2.04pF（典型值）FDD850N10LD: ·RDS(ON)=61mΩ（典型值）@VGS=10V，ID=12A ·RDS(ON)=64mΩ（典型值）@VGS=5.0V，ID=12A ·低栅极电荷=22.2nC（典型值） ·低反向电容(Crss)=42pF（典型值） 都有： ·快速开关 ·100%经过雪崩测试 ·可提高dv/dt处理能力 ·符合RoHS标准 |